Il progetto GaN for Advanced Power Applications (GaN4AP), finanziato dall’UE e cofinanziato dal MiSE, mira allo sviluppo di sistemi elettronici di potenza innovativi, materiali innovativi e una nuova generazione di dispositivi di potenza verticali basati su GaN.
Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale ad ampia banda proibita che potrebbe portare le prestazioni elettroniche a un livello superiore. L’uso pervasivo di dispositivi basati su GaN consentirà lo sviluppo di sistemi elettronici di potenza con perdite di energia vicine allo zero oltre a un volume/peso molto più basso e costi di sistema inferiori.
Il progetto prevede di rendere l’elettronica basata su GaN la tecnologia primaria per i dispositivi attivi in ​​tutti i sistemi di conversione di potenza. Inoltre, prevede di sviluppare nuove soluzioni GaN intelligenti e integrate sia in varianti system-in-package che monolitiche.
Lo sviluppo di nuovi dispositivi e circuiti di alimentazione che utilizzano l’elettronica basata su GaN è fondamentale per la competitività globale delle industrie dell’UE.
Il progetto GaN4AP si rivolgerà ai mercati:
● Automotive (elettronica di potenza efficiente per veicoli elettrici e ibridi)
● Energia rinnovabile (convertitore di potenza e inverter per energia solare)
● Elettronica di consumo (convertitori AC/DC DC/DC)
● Elettronica industriale (driver e conversioni di potenza)
Il progetto GaN4AP ha ricevuto finanziamenti dall’impresa comune ECSEL. Questa Joint Undertaking riceve il sostegno del programma di ricerca e innovazione Horizon 2020 dell’Unione Europea e di Italia, Germania, Francia, Polonia, Repubblica Ceca, Olanda.